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在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的今天，靜電放電（ESD）對(duì)半導(dǎo)體器件的潛在威脅不容忽視。晶圓級(jí)ESD測(cè)試儀作為檢測(cè)和評(píng)估ESD防護(hù)能力的關(guān)鍵設(shè)備，正發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。半導(dǎo)體制造過(guò)程非常復(fù)雜且精細(xì)，從晶圓制造到芯片封裝，每一步都可能受到ESD的影響。ESD產(chǎn)生的瞬間高壓和大電流，可能會(huì)擊穿半導(dǎo)體器件內(nèi)部的微小結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致器件性能下降甚至失效。據(jù)統(tǒng)計(jì)，因ESD造成的半導(dǎo)體產(chǎn)品損失占總損失的相當(dāng)比例，因此精確檢測(cè)和控制ESD至關(guān)重要。晶圓級(jí)ESD測(cè)試儀能夠在晶圓階段對(duì)ESD防護(hù)結(jié)構(gòu)進(jìn)行全面...

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，尤其是集成電路(IC)的復(fù)雜度不斷提高，器件的可靠性和性能測(cè)試變得愈加重要。ES622系列TLP脈沖IV曲線(xiàn)系統(tǒng)成為一種關(guān)鍵的測(cè)試工具，用于評(píng)估半導(dǎo)體器件在瞬態(tài)電流脈沖作用下的響應(yīng)。本文將介紹TLP脈沖IV曲線(xiàn)系統(tǒng)在半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用，以及其在器件可靠性評(píng)估中的重要作用。TLP脈沖IV測(cè)試原理TLP脈沖IV曲線(xiàn)系統(tǒng)通過(guò)施加瞬態(tài)電流脈沖（通常是短時(shí)間的高電流脈沖）來(lái)模擬器件在實(shí)際工作環(huán)境中可能遇到的極端情況。該系統(tǒng)測(cè)量半導(dǎo)體器件在受到脈沖電流作用時(shí)的電...

在集成電路(IC)和其他微電子器件制造過(guò)程中，靜電放電(ESD)是導(dǎo)致產(chǎn)品缺陷和失效的一個(gè)主要因素。因此，利用專(zhuān)業(yè)的芯片靜電測(cè)試設(shè)備來(lái)檢測(cè)和驗(yàn)證IC對(duì)靜電的承受能力變得至關(guān)重要。這類(lèi)設(shè)備不僅能幫助工程師們識(shí)別薄弱環(huán)節(jié)，還能促進(jìn)產(chǎn)品設(shè)計(jì)和工藝的不斷改進(jìn)，以提升整體可靠性。靜電測(cè)試的目的1.質(zhì)量控制：確保每一批次產(chǎn)品的靜電防護(hù)達(dá)到預(yù)定標(biāo)準(zhǔn)。2.故障分析：確定ESD事件對(duì)芯片的影響，追蹤根本原因。3.合規(guī)性驗(yàn)證：滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)外相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求，如IEC61000-4-2（人體模型）和MI...

高壓脈沖發(fā)生器的主要應(yīng)用：搭配二極管和電容注入探頭進(jìn)行ESD電流注入搭配場(chǎng)探頭或TEMCell進(jìn)行E＆H場(chǎng)注入用于晶圓，PCB，系統(tǒng)級(jí)ESD調(diào)試（TLP通用方法）觸摸屏的ITO熔斷和故障測(cè)試充電恢復(fù)時(shí)間測(cè)試元件的ESD脈沖可靠性測(cè)試工作原理：1、高壓直流電源高壓直流電源的作用是將從電網(wǎng)輸入的交流電整流再逆變成高壓交流電，然后經(jīng)過(guò)整流變成高壓直流電。其主要由整流、功率因數(shù)校正、逆變、變壓器升壓和倍壓整流組成。2、高壓脈沖波形研究設(shè)計(jì)的高壓脈沖發(fā)生器產(chǎn)生的脈沖波形主要有方波、指數(shù)...

靜電放電（ESD）是一種常見(jiàn)的現(xiàn)象，它可能對(duì)電子設(shè)備和敏感元件造成嚴(yán)重?fù)p害。因此，抗靜電能力的測(cè)試成為保障電子產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性的重要環(huán)節(jié)?？轨o電能力測(cè)試系統(tǒng)通過(guò)評(píng)估材料和組件在靜電環(huán)境中的表現(xiàn)，為產(chǎn)品設(shè)計(jì)和改進(jìn)提供了重要依據(jù)?？轨o電能力測(cè)試系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)：一、靜電放電模擬技術(shù)該測(cè)試系統(tǒng)的核心在于靜電放電模擬技術(shù)。該技術(shù)可以模擬不同強(qiáng)度和頻率的靜電放電事件，以評(píng)估被測(cè)對(duì)象的抗靜電性能。常見(jiàn)的模擬方法包括：1.人接觸模型（HBM）：模擬人體靜電放電情況，適用于大多數(shù)電子元件的測(cè)試...

在當(dāng)今信息爆炸的時(shí)代，企業(yè)面臨著海量的數(shù)據(jù)處理和管理挑戰(zhàn)。為了更好地利用數(shù)據(jù)資產(chǎn)，提高數(shù)據(jù)處理效率和精度成為了企業(yè)數(shù)據(jù)管理的重要目標(biāo)之一。在這個(gè)背景下，CDM測(cè)試機(jī)應(yīng)運(yùn)而生，成為了企業(yè)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)處理效率和精度的重要工具之一。CDM測(cè)試機(jī)是一種專(zhuān)門(mén)用于數(shù)據(jù)管理和數(shù)據(jù)處理的測(cè)試設(shè)備，它可以通過(guò)一系列的測(cè)試和分析來(lái)評(píng)估數(shù)據(jù)的質(zhì)量、完整性和一致性。CDM測(cè)試機(jī)通常包括數(shù)據(jù)質(zhì)量檢查、數(shù)據(jù)比對(duì)、數(shù)據(jù)清洗等功能，可以幫助企業(yè)發(fā)現(xiàn)和解決數(shù)據(jù)質(zhì)量問(wèn)題，提高數(shù)據(jù)處理效率和精度。如何提高數(shù)據(jù)處理效率...

自動(dòng)化靜電槍測(cè)試系統(tǒng)是一款具有自動(dòng)故障檢測(cè)功能的全自動(dòng)靜電槍測(cè)試儀，其性能遠(yuǎn)優(yōu)于手動(dòng)靜電測(cè)試，符合IEC61000-4-2測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。主要特點(diǎn)：支持各類(lèi)型號(hào)的靜電槍五個(gè)側(cè)面擊打（頂部和四個(gè)側(cè)面）自動(dòng)故障檢測(cè)挑選和放置自動(dòng)更換槍頭(接觸空氣)連接器插頭/拔出DUT翻轉(zhuǎn)可定制的報(bào)告生成通過(guò)圖形界面定義測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)DUT偏移校正按鍵和觸摸屏手指放電刷符合IEC61000–4–2的打擊桌子管腳測(cè)試基于腳本的測(cè)試流程故障檢測(cè)：FD模塊包括四個(gè)模擬信號(hào)和四個(gè)數(shù)字信號(hào)的監(jiān)測(cè)、來(lái)自光電傳感器和1...

半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是一款配置靈活的半導(dǎo)體器件電學(xué)特性分析設(shè)備，在一個(gè)系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)了電流電壓(IV)測(cè)試、電容電壓(CV)測(cè)試、脈沖式IV測(cè)試、任意線(xiàn)性波形發(fā)生與測(cè)量、高速時(shí)域信號(hào)釆集以及低頻噪聲測(cè)試能力。幾乎所有半導(dǎo)體器件的低頻特性表征都可以在FS-Pro測(cè)試系統(tǒng)中完成。產(chǎn)品應(yīng)用：新型材料與器件測(cè)試半導(dǎo)體器件可靠性測(cè)試半導(dǎo)體器件超短脈沖測(cè)試半導(dǎo)體器件無(wú)損探傷與測(cè)試光電器件和微電子機(jī)械系統(tǒng)測(cè)試半導(dǎo)體器件超低頻噪聲領(lǐng)域測(cè)試產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：一體化設(shè)備：?jiǎn)螜C(jī)可采集高精度IV、CV、脈沖IV和...

EMI近場(chǎng)測(cè)試是一種測(cè)試電子設(shè)備的電磁兼容性（EMC）的方法，它通過(guò)在設(shè)備周?chē)O(shè)置接近于設(shè)備工作狀態(tài)的電磁場(chǎng)來(lái)模擬設(shè)備運(yùn)行時(shí)的情況，然后通過(guò)測(cè)試設(shè)備的敏感性來(lái)評(píng)估設(shè)備的EMC。這種測(cè)試通常用于評(píng)估設(shè)備的EMC設(shè)計(jì)，確定設(shè)備的故障和干擾源并指導(dǎo)設(shè)備的調(diào)整和維護(hù)。在EMI近場(chǎng)測(cè)試中，測(cè)試設(shè)備通常需要放置在一種類(lèi)似于電磁屏蔽室的環(huán)境中，以確保測(cè)試環(huán)境的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。此外，測(cè)試儀器需要具備高度的靈敏度和準(zhǔn)確性，以確保準(zhǔn)確捕捉和測(cè)量局部電磁干擾信號(hào)。EMI近場(chǎng)測(cè)試是可用于EMI排查...

高壓電纜故障的主要原因在于產(chǎn)品質(zhì)量和施工質(zhì)量，其中電纜附件占故障總量的90%，薄弱環(huán)節(jié)表現(xiàn)在電纜終端頭和中間接頭，主要由于設(shè)計(jì)不良、材料選擇不當(dāng)、安裝制作工藝不良三個(gè)方面的原因造成。電纜放電測(cè)試系統(tǒng)的必要性：《GB50150-2006電氣裝置安裝工程電氣設(shè)備交接試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)》要求新竣工的電纜需要進(jìn)行耐壓試驗(yàn)，高壓電纜交流耐壓等效電路用C1、C2、C3組合模擬被試電纜的各個(gè)絕緣部件，在試驗(yàn)過(guò)程中C1、C2、C3同時(shí)承受高電壓的考驗(yàn)。交流耐壓試驗(yàn)技術(shù)存在不足，體現(xiàn)在如下兩個(gè)方面：1、...