腐蝕測(cè)量?jī)xDP-CS150

更新時(shí)間：2015-06-09 | 點(diǎn)擊率：748

電化學(xué)作站/腐蝕測(cè)量?jī)x 型號(hào):DP-CS150

DP-CS電化學(xué)作站采用浮地式，具有出色的穩(wěn)定性和度，的硬件和能善的軟件，為涉及能源、材料、生命、環(huán)保等域的科作者提供了的科研平臺(tái)。
具體應(yīng)用于：

（1）電合成、電沉積（電鍍）、陽(yáng)氧化、電解等反應(yīng)機(jī)理研究；

（2）電化學(xué)分析研究；

（3）能源材料（鋰離子電池、太陽(yáng)能電池、燃料動(dòng)力電池和電容器等）、能材料以及傳感器的性能研究；

（4）金屬材料的腐蝕行為研究與耐蝕性評(píng)價(jià)；

（5）緩蝕劑、水質(zhì)穩(wěn)定劑、涂層以及陰保護(hù)效率的快速評(píng)價(jià)。

硬件點(diǎn)

● 雙通道相關(guān)分析器和雙通道速16bit /度24bit AD轉(zhuǎn)換器

● 內(nèi)置FRA頻響分析儀，頻率范圍 10μHz ~1MHz

● 帶寬輸入阻抗的放大器

● 內(nèi)置FPGA DDS信號(hào)合成器

● 率恒電位儀/恒電儀/零電阻電計(jì)

● 電壓控制范圍：±10V，槽壓為±21V（可擴(kuò)展至±200V）

● 電控制范圍：±2.0A（可擴(kuò)展至±5.0A）

● 電位分辨率：10μV，電分辨率：10pA（可延伸至100fA）

軟件點(diǎn)

① 數(shù)據(jù)分析

伏安曲線的平滑、積分和微分運(yùn)算，計(jì)算各氧化還原峰的峰、峰面積和峰電位等；

化曲線的三參數(shù)或四參數(shù)動(dòng)力學(xué)解析，計(jì)算Tafel斜率ba，bc，腐蝕電密度icorr，限擴(kuò)散電、化電阻Rp和腐蝕速率等，還可由電化學(xué)噪聲譜計(jì)算率譜密度、噪聲電阻Rn和譜噪聲電阻Rsn(f)。

② 實(shí)時(shí)存儲(chǔ)

實(shí)時(shí)存儲(chǔ)測(cè)量數(shù)據(jù)，即使因斷電導(dǎo)致測(cè)試中斷，中斷之前的數(shù)據(jù)也會(huì)自動(dòng)保存。

③ 定時(shí)測(cè)量

測(cè)試軟件具有定時(shí)測(cè)量能，對(duì)于某些需要研究體系隨時(shí)間變化征時(shí)，可提前設(shè)好測(cè)試參數(shù)與間隔時(shí)間，讓儀器在無(wú)人值守下自動(dòng)定時(shí)測(cè)量，提實(shí)驗(yàn)效率。

恒電位控制范圍：±10V	恒電控制范圍：±2.0A
電位控制度：0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV	電控制度：0.1%×滿量程讀數(shù)
電位靈敏度：10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz)	電靈敏度：<10pA
電位上升時(shí)間：﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A)	電量程：2A～200nA, 共8檔
參比電輸入阻抗：10¹²Ω\|\|20pF	zui大輸出電：2.0A
槽壓輸出：±21V	電掃描增量：1mA @1A/mS
CV和LSV掃描速度：0.01mV～10000V/s	電位掃描電位增量：0.076mV @1V/mS
CA和CC脈沖寬度：0.0001～65000s	DPV和NPV脈沖寬度：0.0001～1000s
SWV頻率：0.001～100KHz	CV的zui小電位增量：0.075mV
AD數(shù)據(jù)采集：16bit@1MHz，20bit @1kHz	電與電位量程：自動(dòng)設(shè)置
DA分辨率：16bit，建立時(shí)間：1μS	低通濾波器：8段可編程
通訊接口：USB2.0	儀器重量：6.5Kg
外形尺寸（cm）：36.5(W)X30.5 (D)X16 (H)

信號(hào)發(fā)生器
頻率響應(yīng)：10μHz～115KHz	交信號(hào)幅值：1mV～2500mV
頻率度：0.005%	直偏壓：-10V～+10V
DDS輸出阻抗：50Ω	波形：正弦波，三角波，方波
正弦波失真率：<1%	掃描方式：對(duì)數(shù)/線性，增加/下降
信號(hào)分析器
zui大積分時(shí)間：10⁶個(gè)循環(huán)或者10⁵S	測(cè)量時(shí)間延遲：0～10⁵秒
zui小積分時(shí)間：10mS 或者個(gè)循環(huán)的zui長(zhǎng)時(shí)間
直偏置補(bǔ)償
電位補(bǔ)償范圍：-10V～+10V	電補(bǔ)償范圍：-1A～+1A
帶寬調(diào)整：自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置, 共8可調(diào)

能方法		DP-CS120	DP-CS150	DP-CS300	DP-CS310	DP-CS350	DP-CS360
穩(wěn)態(tài)化	開(kāi)路電位測(cè)量（OCP）	●	●	●	●	●	●
	恒電位化（i-t曲線）	●	●	●	●	●	●
	恒電化		●	●	●	●	●
	動(dòng)電位掃描（TAFEL曲線）	●	●	●	●	●	●
	動(dòng)電掃描（DGP）		●	●	●	●	●
暫態(tài)化	意恒電位階梯波	●	●	●	●	●	●
	意恒電階梯波		●	●	●	●	●
	恒電位階躍（VSTEP）	●	●	●	●	●	●
	恒電階躍（ISTEP）		●	●	●	●	●
	快速電位脈沖						●
	快速電脈沖						●
計(jì)時(shí)分析	計(jì)時(shí)電位法（CP）			●	●	●	●
	計(jì)時(shí)電法（CA）			●	●	●	●
	計(jì)時(shí)電量法（CC）			●	●	●	●
伏安分析	線性掃描伏安法（LSV）	●	●	●	●	●	●
	線性循環(huán)伏安法（CV）	●	●	●	●	●	●
	階梯循環(huán)伏安法（SCV）			●		●	●
	方波伏安法（SWV）			●		●	●
	差分脈沖伏安法（DPV）			●		●	●
	常規(guī)脈沖伏安法（NPV）			●		●	●
	常規(guī)差分脈沖伏安法（DNPV）			●		●	●
	交伏安法（ACV）			●		●	●
	二次諧波交伏安（SHACV）			●		●	●
溶出伏安	恒電位溶出伏安			●		●	●
	線性溶出伏安			●		●	●
	階梯溶出伏安			●		●	●
	方波溶出伏安			●		●	●
交阻抗	電化學(xué)阻抗（EIS）～頻率掃描				●	●	●
	電化學(xué)阻抗（EIS）～時(shí)間掃描				●	●	●
	電化學(xué)阻抗（EIS）～電位掃描（Mott-Schottky曲線）				●	●	●
腐蝕測(cè)量	循環(huán)化曲線（CPP）	●	●	●	●	●	●
	線性化曲線（LPR）	●	●	●	●	●	●
	電化學(xué)噪聲（EN）	●	●	●	●	●	●
	電偶腐蝕測(cè)量（ZRA）	●	●	●	●	●	●
	氫擴(kuò)散測(cè)試（HDT）*	●	●	●	●	●	●
電池測(cè)量	電池充放電測(cè)試		●	●	●	●	●
電池測(cè)量	恒電充放電		●	●	●	●	●
光電測(cè)量	電致調(diào)光測(cè)量 *					●	●
光電測(cè)量	光譜儀測(cè)量 *					●	●
擴(kuò)展測(cè)量	盤環(huán)電測(cè)試 *			●	●	●	●
	數(shù)字記錄儀	●	●	●	●	●	●
	波形發(fā)生器			●	●	●	●
	圓盤電機(jī)控制			●	●	●	●

注： * 氫擴(kuò)散及旋轉(zhuǎn)盤環(huán)電測(cè)試需配置DP-CS1001A恒源或采用DP-CS2350雙恒電位儀。

* 光電測(cè)量能用戶選配。

* 產(chǎn)品3年質(zhì)保。

儀器配置：

1）儀器主機(jī)1臺(tái)

2）測(cè)試與分析軟件1套

3）用電解池（含鹽橋和排氣管）1套

4）輔助、參比、作電各1支

5）模擬電解池1個(gè)

6）電源線/USB數(shù)據(jù)線各1條

7）電電纜線1條

8）電架（選配 *）

9）屏蔽箱（選配 *）

10）電腦（選配 *）